Silikon karbida Seramik (SiC) mempunyai kekonduksian terma yang luar biasa, rintangan suhu tinggi, rintangan haus dan kakisan, diterima pakai secara meluas dalam pembuatan semikonduktor, PV tenaga baharu, perlindungan haba aeroangkasa dan metalurgi suhu tinggi. Prestasi perkhidmatan mereka didominasi oleh morfologi butiran, keadaan sempadan butiran dan tegasan sisa.
EBSD berfungsi sebagai kaedah pencirian penting untuk menganalisis orientasi butiran, tekstur dan kecacatan mikro SiC. Data EBSD yang boleh dipercayai membimbing pengoptimuman pensinteran dan mengelakkan kegagalan komponen. Penyediaan spesimen yang tepat menentukan kejayaan pengindeksan EBSD untuk seramik SiC yang keras & rapuh. Kertas pasir standard gagal mengisar; cakera berlian serta penggilap getaran diperlukan.
Rajah 1: Mikrograf sampel seramik silikon karbida (SiC) (Skala: 300μm)
Rajah 2: Mikrograf sampel seramik silikon karbida (SiC) (Skala: 300μm)






